RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link