RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2360
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link