RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2360
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link