RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link