RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
71
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link