RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
10.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2176
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link