RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
6.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2046
2418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link