RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
60
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,755.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,813.5
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,755.7
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
591
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link