RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сравнить
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB против Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
-->
Средняя оценка
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,681.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,204.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,681.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
324
2895
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link