RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около 65% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
71
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
6.9
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1922
1902
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link