RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2947
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link