RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
58
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
15.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
58
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
10.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1998
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link