RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
22
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
19.5
Скорость записи, Гб/сек
10.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3435
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link