RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
75
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
75
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.0
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1763
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link