Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

-->

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Средняя оценка

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.3

Среднее значение в тестах

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 61

Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.5 1,670.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 36
Скорость чтения, Гб/сек

3,529.3 19.3
Скорость записи, Гб/сек

1,670.4 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

517 3458

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905598-006.A00G 8GB

Kingston 9905598-006.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

модули RAM