Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

-->

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Средняя оценка

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

55 61

Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.3 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.4 1,670.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 55
Скорость чтения, Гб/сек

3,529.3 9.3
Скорость записи, Гб/сек

1,670.4 7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

517 2078

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB

A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM