RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
917.4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
74
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,249.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
917.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
498
3098
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MID 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link