RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
67
Около 1% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
1,167.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
67
Скорость чтения, Гб/сек
2,885.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,167.9
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
284
2042
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link