RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1976
3693
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link