RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB против INTENSO 5641152 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Средняя оценка
INTENSO 5641152 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1976
2215
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
INTENSO 5641152 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link