RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
48
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2268
2196
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link