RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
66
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
66
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
1912
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link