RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
57
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
21
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3034
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link