RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
57
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3722
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link