RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
4152
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link