RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Micron Technology 8G2666CL19 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
57
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
30
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3040
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link