RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2852
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link