RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
57
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
18
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
5.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3814
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link