RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
57
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
18
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
5.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3564
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link