RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
57
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
18
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
5.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3529
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link