RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
57
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
32
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2831
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link