RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
57
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
47
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2875
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link