RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
57
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2370
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link