RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
2690
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link