Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Средняя оценка

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 26
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 17.2
Скорость записи, Гб/сек

8.9 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2418 3617

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

модули RAM