Kingston 9905403-134.A00LF 2GB против Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Средняя оценка

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 30

Около 20% меньшая задержка

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 9.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 30
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 17.0
Скорость записи, Гб/сек

9.3 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2402 3690

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB

модули RAM