RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
22
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
13.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
3035
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link