RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2201
2327
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link