RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
6.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2201
1499
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link