Kingston 9905403-444.A00LF 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 35

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 6.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 24
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 17.0
Скорость записи, Гб/сек

6.5 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1994 2703

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

модули RAM

AMD R332G1339U1S 2GB

AMD R332G1339U1S 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

MDT Technologies GmbH MDT 1GB DDR2-66 1GB

MDT Technologies GmbH MDT 1GB DDR2-66 1GB

модули RAM

Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB

Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

модули RAM