RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB против Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
6.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1994
2489
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link