RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
46
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2660
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link