Kingston 9905458-017.A01LF 4GB против Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 28

Около 11% меньшая задержка

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.2 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 13.2
Скорость записи, Гб/сек

8.6 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2239 2814

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM