RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2163
2354
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link