RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2163
2354
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link