RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Сравнить
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB против Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1896
1984
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link