RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
27
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
4.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2409
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link