RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
73
Около -265% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
20
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
19.0
Скорость записи, Гб/сек
4.7
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
3410
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link