RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
73
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
34
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
4.7
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2201
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link