Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Средняя оценка

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Причины выбрать
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 73

Около -192% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 4.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 25
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 15.0
Скорость записи, Гб/сек

4.7 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1021 2549

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB

Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

модули RAM