RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
74
Около 1% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
74
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
4.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
1616
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link