RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
38
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3000
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link